東大など、有機半導体で「絶縁体-金属転移」を実験的に観測することに成功

東京大学(東大)と産業技術総合研究所(産総研)は9月7日、高純度かつ欠陥のない有機半導体単結晶の1分子層(厚さ4nm)に対して高密度にキャリアを注入することで二次元ホールガスが形成され、さらに4分子当たり1電荷に相当する高密度のホールを誘起したところ、「絶縁体-金属転移」を実験的に観測することに成功したと発表した。NIMSなど、印刷薄膜トランジスタと素子をつなぐ3次元印刷配線の形成に成功
同成果
Source: グノシー・サイエンス

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