シリコン基板上に窒化物超伝導量子ビットを実現することにNICTなどが成功

情報通信研究機構(NICT)、産業技術総合研究所(産総研)、名古屋大学(名大)、科学技術振興機構(JST)の4者は9月20日、超伝導材料にアルミニウムを使用しない超伝導量子ビットとして、シリコン基板上のエピタキシャル成長を用いた「窒化物超伝導量子ビット」の開発に成功したと発表した。
超伝導体中の磁束量子の向きと配置の操作でスピン配列を制御することに成功
同成果は、NICT 未来ICT研究所 小金
Source: グノシー・サイエンス

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