半導体の強さは金属的にとらえることができる、名大が新たな計測手法を開発

名古屋大学(名大)は2月18日、半導体に外部から光(フォトン)と力(フォース)を同時に入射する手法を新たに開発し、転位(内部のシワ)の運動が光照射で変化する現象をナノスケールで計測することに成功したと発表した。東工大、IoTエッジコンピューティング向け小型・省電力プロセッサを開発
同成果は、名大大学院 工学研究科の中村篤智准教授、同・松永克志教授、独・ダルムシュタット工科大学のシューフェイ・ファ
Source: グノシー・サイエンス

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