東大など、多様なトポロジカル相を持つトポロジカル・ディラック半金属を開発

東京大学、福島工業高等専門学校(福島高専)、科学技術振興機構の3者は10月15日、高品質なα-スズ(α-Sn)薄膜をIII-V族半導体のインジウムアンチモン基板上に結晶成長させることに成功し、α-Sn薄膜のさまざまなトポロジカル物性を明らかにしたと発表した。
東北大など、「ベイズ推定」で電子構造の全貌を明らかにする解析方法を開発
同成果は、東大大学院 工学系研究科 附属総合研究機構のレ・デゥック
Source: グノシー・サイエンス

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