反強磁性体による不揮発性メモリの実用化に前進、東大などが信号増幅に成功

東京大学、理化学研究所(理研)、科学技術振興機構(JST)の3者は4月15日、次世代の情報処理デバイスの主要材料として注目を集める反強磁性体であるマンガン化合物「Mn3Sn」と、重金属からなる多層薄膜デバイスの膜界面構造の最適化を試み、電気的に読み書き可能な信号をこれまで報告されていた値よりも3倍大きくすることに成功したと発表した。反強磁性金属における超高速スピン反転の観測に東大などが成功
同成
Source: グノシー・サイエンス

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